CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

Артикул:CD4-US08G26M19-00S
Код товара:626400400
К сравнению
Объем одного модуля (ГБ):8
manufacturerCountry:КИТАЙ
Модель:CD4-US08G26M19-00S
Напряжение (В):1.2
название:CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank
GTIN:06973720598918
высота(см):4
RAS to CAS Delay (tRCD):19
Тайминги:19-19-19-43
Тип оборудования:Оперативная память
Под заказ (запрашивайте)
2 080 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
68d234b6a7acf8ffc0afb95dd73ede7d
Описание
ПамятьCD4-US08G26M19-00S от компании CBR.
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
Модель
Напряжение (В)
название
GTIN
высота(см)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тайминги
Тип оборудования
gtdNumber
Чип
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
масса(кг)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
ширина(см)
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
Низкопрофильная
Радиатор
Подсветка
Производитель
Количество контактов
длина(см)
Дополнительная информация
описание
Row Precharge Delay (tRP)