Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
bc88d1f37efa83159cf0cee6818017e7
Описание
Память QUM4U-4G2666C19 от производителя QUMO
длина(см)
17
Row Precharge Delay (tRP)
19
Дополнительная информация
-
описание
Память QUM4U-4G2666C19 от производителя QUMO
Модель
QUM4U-4G2666C19
Объем одного модуля (ГБ)
4
manufacturerCountry
Тайвань (китай)
название
QUMO DDR4 DIMM 4GB QUM4U-4G2666C19 PC4-21300, 2666MHz OEM/RTL
Напряжение (В)
1.2 В (DDR4)
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
GTIN
04897062177612
высота(см)
1
Тайминги
19-19-19
Тип оборудования
Оперативная память
gtdNumber
10005030/300622/3181202
Чип
512M x 8-bit
Частота (MHz)
DDR4 - 2666
Поддержка Reg
Нет
Activate to Precharge Delay (tRAS)
-
Нормальная операционная температура (Tcase)
-
Общий объем памяти (ГБ)
4
Количество чипов на модуле
-
Габариты (мм)
-
масса(кг)
0.03
Расширенная операционная температура (Tcase)
-
rusName
[Модуль памяти] QUMO DDR4 DIMM 4GB QUM4U-4G2666C19 PC4-21300, 2666MHz OEM/RTL
сайт производителя
http://www.qumo.ru
Потребление энергии
-
Линейка
-
Пропускная способность (МБ/с)
21300
Производитель
QUMO
Вес (грамм)
-
Количество модулей в комплекте (шт)
1
гарантия
3 года
ширина(см)
4
Высота (мм)
-
Поддержка ECC
Нет
Поддержка водяного охлаждения
Нет
CAS Latency (CL)
19
Тип модуля
DIMM
Радиатор
Нет
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288
Подсветка
Нет
Производитель
Qumo
